在电子元器件制造中，多层共烧技术广泛应用于制备高性能的陶瓷基板和多层片式元件。
共烧铂电极浆料因其良好的导电性和化学稳定性成为常用材料。然而，在多层共烧过程中，层间污染问题时有发生，严重影响产品性能与可靠性。先进院（深圳）科技有限公司在解决这一技术难题上投入了大量研究，取得了一系列成果。
一、层间污染的成因
（一）元素扩散
在高温共烧时，铂电极浆料中的某些元素，如助熔剂中的碱金属元素，会因热驱动向相邻陶瓷层扩散。这些元素进入陶瓷晶格后，可能改变陶瓷的电学和物理性能，导致层间绝缘性能下降。例如，钠离子扩散到陶瓷层中，会增加陶瓷的离子电导率，引发漏电等问题。
（二）挥发与再沉积
共烧过程中，铂电极浆料中的有机添加剂和部分低熔点成分会挥发。这些挥发物在炉内气氛中迁移，若不能及时排出，就可能在温度较低的区域重新沉积在陶瓷层表面，形成污染层，影响层间结合力和电气性能。
二、先进院（深圳）科技有限公司的解决策略
（一）优化浆料配方
先进院（深圳）科技有限公司研发团队通过调整
铂电极浆料的配方，减少易扩散和挥发的成分。他们采用新型的低扩散助熔剂体系，降低了碱金属元素的含量，并优化了有机添加剂的种类和比例。例如，使用具有更高热稳定性的有机载体，减少其在共烧过程中的挥发量。经过多次实验优化，研发出的新型铂电极浆料，有效抑制了元素扩散和挥发，显著降低了层间污染风险。
（二）改进工艺控制
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升温速率控制：准确控制共烧过程的升温速率至关重要。先进院（深圳）科技有限公司研究发现，过快的升温速率会加剧元素扩散和挥发。通过采用分段升温工艺，在关键温度区间降低升温速率，使浆料中的成分有足够时间均匀反应和挥发，避免了局部过热导致的大量元素扩散和挥发。例如，在 500 - 800℃这一易产生挥发的温度区间，将升温速率从常规的 10℃/min 降低至 5℃/min，有效减少了挥发物的产生。
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炉内气氛调控：优化炉内气氛可以促进挥发物排出，减少再沉积。公司在共烧过程中采用富氧气氛，并增加气体流量，加速挥发物的氧化和排出。同时，合理设计炉内气体流向，避免挥发物在炉内局部积聚，降低了其重新沉积在陶瓷层表面的可能性。
（三）使用阻隔层
先进院（深圳）科技有限公司还提出在铂电极与陶瓷层之间引入阻隔层的方法。阻隔层材料选用具有高化学稳定性和低扩散系数的物质，如特定成分的氧化物薄膜。在多层共烧前，通过溅射、涂覆等工艺在陶瓷层表面制备阻隔层。阻隔层能够有效阻挡
铂电极浆料中元素的扩散，同时不影响电极与陶瓷层的结合性能。实验表明，使用阻隔层后，层间污染问题得到了极大改善，产品的良品率显著提高。
先进院（深圳）科技有限公司通过优化浆料配方、改进工艺控制以及引入阻隔层等一系列措施，成功解决了共烧铂电极浆料在多层共烧过程中的层间污染问题，为电子元器件制造企业提供了可靠的技术支持，推动了多层共烧技术的进一步发展和应用。
以上数据仅供参考，具体性能可能因生产工艺和产品规格而有所差异。
