广泛应用在半导体工业主要用于半导体芯片的粘贴单组份、低粘度的导电银胶

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研铂60XX胶

固化前物理化学特性	检测说明	检测方法
离子型表面活性剂         氯化物                      5ppm                                    钠                            3ppm                                    钾                            1ppm 抽水传导性                                                  13mmhos/cm pH                                                              6 重量损失@300℃                                         0.35% 玻璃转化温度                                               120℃ 热膨胀系数                                    低于Tg                    40 ppm/℃                                    高于Tg                    150 ppm/℃ 动态拉伸模量                                    @-65℃                    4380Mpa                                                                   （640Kpsi）                                    @25℃                     3940Mpa                                                                   （570Kpsi）                                    @150℃                    1960Mpa                                                                   （280Kpsi）                                    @250℃                    300Mpa                                                                   （44Kpsi） 吸湿率 @饱和                                                        0.6%	特氟纶烧瓶 5 gm 样品/20-40筛网 5 gm DI水 保持100℃ 24小时 热解重量分析 TMA渗透模式 TMA 膨胀模式 动力热解分析 使用 <0.5mm厚度的样品 动态蒸发吸附作用 85℃/85% RH曝光以后	CT-13 CT-6 CT-7 PT-20 MT-14 MT-9 MT-12 PT-65
固化后电热特性
导热性                                                        2.5W/m。K @121℃ 体积电阻率                                                  0.0001 ohm-cm	C-MATIC 导电检测器 4点探测	PT-40 PT-46

固化后机械特性	检测说明	检测 方法
芯片剪切强度 @25℃   19kg/die 芯片剪切强度和温度 @25℃           @200℃          @250℃ 21kg/die        2.9kg/die        1.7kg/die 11kg/die         2.6kg/die        1.4kg/die 27kg/die        2.4kg/die        2.0kg/die 85℃/85% RH曝光168小时以后芯片剪切强度 @25℃           @200℃ 12kg/die        1.8kg/die 10kg/die        2.5kg/die 23kg/die        1.8kg/die 芯片热变形@25℃与芯片大小 芯片尺寸                                        热变形 7.6×7.6mm（300×300mil）             19mm 10.2×10.2mm（400×400mil）          32mm 12.7×12.7mm（500×500mil）          51mm 碎片热变形与固化后电热处理2 固化后            +丝焊                    +铸型烘焙后          （1分钟@250℃） （4小时@175℃） 20mm              29mm                     28mm 22mm              30mm                     28mm 数据由改变升温处理条件获得。	2×2mm（80×80mil）硅芯片 3×3mm（120×120mil）硅芯片 基材 银/铜引线框架 裸铜引线框架 钯/镍/铜引线框架 3×3mm（120×120mil）硅芯片 基材 银/铜引线框架 裸铜引线框架 钯/镍/铜引线框架 0.38 mm（15mil）厚的硅芯片 在0.2mm厚的银/铜引线框架上 7.6×7.6×0.38mm（300×300×15mil）硅芯片  在0.2mm（8 mil）厚的LF上 基材 银/铜引线框架 裸铜引线框架	MT-4 MT-4 MT-4 MT-15 MT-15

研铂60XX胶
导电银胶
解冻
使用前须先让容器达到室温。从冰柜里取出以后，将针筒垂直放置以供解冻。建议解冻时间请参照以下针筒解冻时间表。
在内含物未达到室温之前请勿打开容器。已解冻容器上的湿气在打开容器之前必须去除。
切勿重冻结。一旦解冻到室温，胶就不能重冻结。
胶的运用
解冻的胶必须立刻放在分配设备上以供使用。如果胶转移到最终分配贮存器中，必须避免受到污染以及/或者空气进入胶中。胶必须在18小时内使用。如果胶被遗置在不符合建议使用寿命的周围环境下，会发生银-树脂分离现象。
使用足量的胶，实现25-50mm（1-2 mil）湿结合面厚度，在四周分配大约25%-50%胶进行密封。