IGBT烧结银工艺——实现清洁粘结界面

IGBT烧结银工艺作为一种重要的电子器件封装技术，在现代工业领域具有广泛的应用。在实际应用中，如何确保烧结界面的质量，成为影响器件性能和可靠性的关键因素之一。先进院科技本文将从不同的角度探讨IGBT烧结银工艺中清洁粘结界面的实现方法。

　　增加界面表面能——提高粘结质量

　　为了确保烧结界面的粘结质量，需要关注界面表面能的问题。界面表面能过低可能会导致银粉无法充分湿润，影响粘结效果。因此，在IGBT烧结银工艺中，建议采取增加界面表面能的措施。比如，可以通过表面处理方法，如纳米材料涂层、等离子体处理等，提高界面表面能，增强银粉与基底的结合力，提高烧结界面的质量和可靠性。

　　界面开导气槽——解决粘结尺寸过大的问题

　　在IGBT烧结银工艺中，当粘结尺寸过大时，容易导致气体在烧结过程中无法完全排出，影响最终的粘结效果。为了解决这个问题，建议在具有大粘结尺寸的界面上开导气槽。通过适当设计和布置气槽，可以在烧结过程中有效地排出气体，确保界面粘结的质量和可靠性。

　　均匀涂布烧结银——保证界面质量

　　在IGBT烧结银工艺中，当需要在一个界面上进行烧结银涂布时，均匀涂布是非常重要的。不同涂布厚度或不均匀涂布会导致烧结过程中温度分布不均，进而影响界面的质量和性能。因此，在涂布烧结银之前，需要采取适当的措施，确保涂布均匀，如采用均匀涂布机械、准确控制涂布量等，以确保银粉在烧结过程中能够充分熔化和扩散，保证界面质量和可靠性。

　　增加上界面压力——提高界面粘结质量

　　在IGBT烧结银工艺中，当需要在另外一个界面上加压时，适当增加上界面的压力可以改善界面的质量。通过施加适当的压力，可以使银粉更好地与基底结合，增加界面的接触面积，提高烧结界面的金属结合强度和可靠性。

　　合理控制烧结过程参数——保证界面烧结质量

　　在IGBT烧结银工艺中，烘烤阶段和烧结阶段的参数设置对于界面的烧结质量起着至关重要的作用。首先，对于界面是铜基底的情况，建议在预烘阶段采用150度、20-30分钟的氮气保护，以避免铜氧化。其次，在预压阶段，应适当加压（约0.5-1MPa）、提高温度（150度）以确保界面的初步烧结质量。最后，在本压阶段，通过调整温度（220-280度）和压力（10-30MPa）的参数，可以进一步提高界面的烧结质量和可靠性。

　　逐步降温保护器件——保证烧结结束后的性能稳定

　　在IGBT烧结银工艺中，烧结结束后的冷却过程也需要给予足够的注意。为了保护器件的性能稳定，建议在烘箱中逐步降温到室温，再将器件取出。这样可以避免快速冷却引起的烧结界面热应力，从而增加界面的稳定性和可靠性。

　　结语：通过清洁粘结界面的实现方法，可以提升IGBT烧结银工艺的质量和可靠性。控制界面表面能、解决粘结尺寸过大、均匀涂布、增加上界面压力、合理控制烧结过程参数以及逐步降温保护器件等措施，都对于提升烧结界面质量起到积极的作用。通过不断优化工艺流程，将为IGBT烧结银工艺的应用提供更好的保障。